Infineon BSC200P03LSG

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

表面安装

YES

引脚数

8

供应商器件包装

PG-TDSON-8-6

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

Continuous Drain Current Id

9.9

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.9A (Ta), 12.5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

2.5W (Ta), 63W (Tc)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1V @ 100µA

Package Description

GREEN, PLASTIC, TDSON-8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSC200P03LSG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.82

Drain Current-Max (ID)

9.9 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

OptiMOS®

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

子类别

其他晶体管

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

JESD-30代码

R-PDSO-F5

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

20mOhm @ 12.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2430 pF @ 15 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

48.5 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±25V

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

12.5 A

漏极-源极导通最大电阻

0.02 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

50 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

信道型

P

雪崩能量等级（Eas）

98 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

63 W

场效应管特性

-

达到SVHC

compliant