Infineon BSC889N03MSG

底架

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

8

供应商器件包装

PG-TSDSON-8

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

Continuous Drain Current Id

12

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

7.2 ns

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A (Ta), 44A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

2.5W (Ta), 28W (Tc)

Product Status

活跃

Package Description

GREEN, PLASTIC, TDSON-8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSC889N03MSG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.81

Drain Current-Max (ID)

12 A

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

OptiMOS™ 3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

500 mW

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-N5

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5 W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9.1mOhm @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1500 pF @ 15 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20 nC @ 10 V

上升时间

4.2 ns

漏源电压 (Vdss)

60 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

280 mA

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

44 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0091 Ω

漏源击穿电压

30 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

176 A

输入电容

43 pF

DS 击穿电压-最小值

30 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

10 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

28 W

场效应管特性

-

漏源电阻

9.1 mΩ

最大rds

3.5 Ω