Infineon BSD235NH6327XT

底架

表面贴装

包装/外壳

SOT-363-6

引脚数

6

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

4.5 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

20 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

950 mV

Pd - Power Dissipation

500 mW

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 12 V, + 12 V

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Mounting Styles

SMD/SMT

Channel Mode

Enhancement

Qg - Gate Charge

320 pC

Rds On - Drain-Source Resistance

266 mOhms, 415 mOhms

Id - Continuous Drain Current

950 mA

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

500 mW

技术

Si

通道数量

2 Channel

元素配置

Dual

功率耗散

500 mW

接通延迟时间

3.8 ns

上升时间

3.6 ns

连续放电电流(ID)

950 mA

栅极至源极电压(Vgs)

12 V

漏源击穿电压

20 V

输入电容

49 pF

漏源电阻

350 mΩ

宽度

1.25 mm

高度

800 µm

长度

2 mm