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Infineon BSD314SPEL6327

Name: BSD314SPEL6327
Brand: Infineon
SKU: 1211-BSD314SPEL6327
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

BSD314SPEL6327

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-BSD314SPEL6327

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-6

起订量

--最小包装量--

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BSD314SPEL6327 Infineon Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-6

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BSD314SPEL6327详情

技术参数

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Infineon BSD314SPEL6327重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

6-VSSOP, SC-88, SOT-363
安装类型

表面贴装
引脚数

6
供应商器件包装

PG-SOT363-6-6
Continuous Drain Current

1.5(A)
Drain-Source On-Volt

30(V)
Operating Temperature Classification

Military
Package Type

SOT-363
Operating Temp Range

-55C to 150C
Gate-Source Voltage (Max)

±20(V)
Channel Mode

Enhancement
Number of Elements

1
Rad Hardened

无
Mounting

表面贴装
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
厂商

Infineon Technologies
Power Dissipation (Max)

500mW (Ta)
Product Status

活跃
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 6.3µA
包装

卷带
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

OptiMOS™-P 3
类型

小信号
技术

MOSFET (Metal Oxide)
极性

P
功率耗散

0.5(W)
场效应管类型

P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

140mOhm @ 1.5A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

294 pF @ 15 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.9 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

30 V
Vgs（最大值）

±20V
场效应管特性

-

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