注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
BSD316SN L6327
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-BSD316SN L6327
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
MOSFET N-Ch 30V 1.4A SOT-363-6
起订量
1最小包装量--
请发送询价,我们将立即回复。
BSD316SN L6327详情
技术参数
PDF文档
Infineon BSD316SN L6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
材料
Aluminum
形状
Square, Fins
包装冷却
Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)
材料处理
蓝色阳极氧化
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE,
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
40
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BSD316SNL6327
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.69
Drain Current-Max (ID)
1.4 A
系列
pushPIN™
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
ECCN 代码
EAR99
类型
顶部安装
端子表面处理
哑光锡
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMAIBLE
HTS代码
8541.21.00.95
子类别
FET 通用电源
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
引脚数量
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
附着方法
推销
离底高度(鳍的高度)
0.790 (20.00mm)
强制空气流动时的热阻
3.04°C/W @ 100 LFM
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
漏极-源极导通最大电阻
0.16 Ω
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.5 W
自然环境下的热阻
反馈上限-最大值 (Crss)
7 pF
温度上升时的耗散功率
宽度
2.756 (70.00mm)
长度
直径
达到SVHC
compliant
技术文档: Infineon BSD316SN L6327.
BSD316SN L6327拓展信息
公司资质
购物车 (0件产品)