BSD816SN H6327详情
Infineon BSD816SN H6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件包装
PG-SOT363-6
材料
Aluminum
形状
Rectangular, Fins
包装冷却
Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)
材料处理
蓝色阳极氧化
Package
Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.4A (Ta)
厂商
Infineon Technologies
Power Dissipation (Max)
500mW (Ta)
Product Status
活跃
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
950mV @ 3.7µA
系列
pushPIN™
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
零件状态
活跃
类型
顶部安装
技术
MOSFET (Metal Oxide)
附着方法
推销
离底高度(鳍的高度)
0.450 (11.43mm)
强制空气流动时的热阻
14.55°C/W @ 100 LFM
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
160mOhm @ 1.4A, 2.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
180 pF @ 10 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.6 nC @ 2.5 V
漏源电压 (Vdss)
20 V
Vgs(最大值)
±8V
场效应管特性
-
自然环境下的热阻
--
温度上升时的耗散功率
--
宽度
2.400 (60.96mm)
长度
2.280 (57.90mm)
直径
--
BSD816SN H6327拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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