Infineon BSD816SNL6327

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

表面安装

YES

引脚数

6

供应商器件包装

PG-SOT363-6-6

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.4A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 2.5V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

500mW (Ta)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

0.95V @ 3.7µA

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSD816SNL6327

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.8

Drain Current-Max (ID)

1.4 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

OptiMOS™2

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

雪崩 额定

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

JESD-30代码

R-PDSO-G6

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

160mOhm @ 1.4A, 2.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

180 pF @ 10 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.6 nC @ 2.5 V

漏源电压 (Vdss)

20 V

Vgs（最大值）

±8V

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1.4 A

漏极-源极导通最大电阻

0.16 Ω

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.5 W

场效应管特性

-

反馈上限-最大值 (Crss)

10 pF

达到SVHC

compliant