Infineon BSD840N

包装/外壳

Wide 1206 (3216 Metric), 0612

表面安装

YES

供应商器件包装

-

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Product Status

活跃

厂商

KOA Speer Electronics, Inc.

Base Product Number

WK73R2B

Package

Tape & Reel (TR)

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSD840N

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

MOSFET Dual N-Ch 880mA OptiMOS2 SOT363 Infineon BSD840N Dual N-channel MOSFET Transistor, 0.88 A, 20 V, 6-Pin SOT-363

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.73

Drain Current-Max (ID)

0.88 A

系列

WK73R

操作温度

-55°C ~ 155°C

尺寸/尺寸

0.063 L x 0.126 W (1.60mm x 3.20mm)

容差

±5%

JESD-609代码

e3

终止次数

2

温度系数

±100ppm/°C

电阻

33 kOhms

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

组成

厚膜

功率(瓦特)

0.75W, 3/4W

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.4 Ω

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

特征

Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant

座位高度(最大)

0.028 (0.70mm)

评级结果

AEC-Q200