Infineon BSF024N03LT3G

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric MX

表面安装

YES

引脚数

3

供应商器件包装

MG-WDSON-2

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Continuous Drain Current Id

15

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15A (Ta), 106A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

2.2W (Ta), 42W (Tc)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Package Description

GREEN, METAL, WDSON-2, 3 PIN

Package Style

CHIP CARRIER

Moisture Sensitivity Levels

3

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSF024N03LT3G

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.78

Drain Current-Max (ID)

15 A

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

系列

OptiMOS™3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-MBCC-N3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.4mOhm @ 20A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5500 pF @ 15 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

71 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

106 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0032 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

125 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

42 W

场效应管特性

-

达到SVHC

compliant