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技术文档
型号
BSK313P
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-BSK313P
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
BSK313P datasheet pdf and Unclassified product details from Infineon stock available at utmel
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BSK313P详情
技术参数
PDF文档
Infineon BSK313P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Package
零售包装
厂商
Glenair
Product Status
活跃
Drain Current-Max (ID)
3.2 A
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.84
Part Package Code
TSOP
系列
*
ECCN 代码
EAR99
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
compliant
引脚数量
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
漏极-源极导通最大电阻
0.08 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
12.8 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
28 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1.25 W
技术文档: Infineon BSK313P.
BSK313P拓展信息
公司资质
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