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Infineon BSL207SPL6327

Name: BSL207SPL6327
Brand: Infineon
SKU: 1211-BSL207SPL6327
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

BSL207SPL6327

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-BSL207SPL6327

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.041ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-6

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BSL207SPL6327 Infineon Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.041ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-6

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BSL207SPL6327详情

技术参数

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Infineon BSL207SPL6327重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

6
晶体管元件材料

SILICON
Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Package Style

小概要
Moisture Sensitivity Levels

1
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min

-55 °C
Operating Temperature-Max

150 °C
Rohs Code

有
Manufacturer Part Number

BSL207SPL6327
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

Infineon Technologies AG
Number of Elements

1
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank

5.15
Drain Current-Max (ID)

6 A
ECCN 代码

EAR99
附加功能

雪崩额定
HTS代码

8541.29.00.95
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
Reach合规守则

unknown
参考标准

AEC-Q101
JESD-30代码

R-PDSO-G6
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

0.041 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

24 A
DS 击穿电压-最小值

20 V
雪崩能量等级（Eas）

44 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
环境耗散-最大值

2 W

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BSL207SPL6327拓展信息

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