Infineon BSL211SPL6327

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

表面安装

YES

引脚数

6

供应商器件包装

PG-TSOP6-6-6

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Voltage Rating (DC)

-20 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

25 ns

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.7A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

2W (Ta)

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSL211SPL6327

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.15

Part Package Code

TSOP

Drain Current-Max (ID)

4.7 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

OptiMOS™-P

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

2 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

额定电流

-4.7 A

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-G6

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2 W

接通延迟时间

8.7 ns

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

67mOhm @ 4.7A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 25µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

654 pF @ 15 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12.4 nC @ 4.5 V

上升时间

13.9 ns

漏源电压 (Vdss)

20 V

Vgs（最大值）

±12V

极性/通道类型

P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

4.7 A

栅极至源极电压(Vgs)

12 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.7 A

漏极-源极导通最大电阻

0.067 Ω

漏源击穿电压

-20 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

18.8 A

输入电容

654 pF

DS 击穿电压-最小值

20 V

雪崩能量等级（Eas）

26 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2 W

场效应管特性

-

漏源电阻

67 mΩ

最大rds

67 mΩ

栅源电压

-900 mV

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅