注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
BSM100GB100D
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-BSM100GB100D
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
BSM100GB100D datasheet pdf and Unclassified product details from Infineon stock available at utmel
起订量
1最小包装量--
请发送询价,我们将立即回复。
BSM100GB100D详情
技术参数
PDF文档
Infineon BSM100GB100D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
7
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Non-Compliant
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Turn-on Time-Nom (ton)
180 ns
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
Turn-on Time-Max (ton)
220 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Siemens
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
西门子 A G
Risk Rank
5.29
子类别
绝缘栅BIP晶体管
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PUFM-X7
资历状况
不合格
配置
SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极电流-最大值(IC)
100 A
集电极-发射器电压-最大值
1000 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
VCEsat-最大值
3.3 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.2 V
环境耗散-最大值
1000 W
技术文档: Infineon BSM100GB100D.
BSM100GB100D拓展信息
公司资质
购物车 (0件产品)