BSM10GD60DN2详情
Infineon BSM10GD60DN2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
17
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
BSM10GD60DN2
Manufacturer
Infineon
Package Description
FLANGE MOUNT, R-XUFM-T17
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
UNSPECIFIED
Turn-on Time-Nom (ton)
40 ns
Turn-off Time-Nom (toff)
250 ns
Operating Temperature-Max
125 °C
Turn-on Time-Max (ton)
80 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Risk Rank
5.73
Turn-off Time-Max (toff)
370 ns
Ihs Manufacturer
西门子 A G
Part Life Cycle Code
Obsolete
Number of Elements
6
端子位置
UPPER
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-XUFM-T17
资历状况
不合格
配置
BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
ISOLATED
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极电流-最大值(IC)
10 A
集电极-发射器电压-最大值
600 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
VCEsat-最大值
2.7 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.5 V
环境耗散-最大值
210 W
BSM10GD60DN2拓展信息








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