注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
BSM10GD60DN2
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-BSM10GD60DN2
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Infineon Miscellaneous
起订量
1最小包装量--
请发送询价,我们将立即回复。
BSM10GD60DN2详情
技术参数
PDF文档
Infineon BSM10GD60DN2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
17
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
Manufacturer
Package Description
FLANGE MOUNT, R-XUFM-T17
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
UNSPECIFIED
Turn-on Time-Nom (ton)
40 ns
Turn-off Time-Nom (toff)
250 ns
Operating Temperature-Max
125 °C
Turn-on Time-Max (ton)
80 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Risk Rank
5.73
Turn-off Time-Max (toff)
370 ns
Ihs Manufacturer
西门子 A G
Part Life Cycle Code
Obsolete
Number of Elements
6
端子位置
UPPER
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-XUFM-T17
资历状况
不合格
配置
BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
ISOLATED
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极电流-最大值(IC)
10 A
集电极-发射器电压-最大值
600 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
VCEsat-最大值
2.7 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.5 V
环境耗散-最大值
210 W
技术文档: Infineon BSM10GD60DN2.
BSM10GD60DN2拓展信息
公司资质
购物车 (0件产品)