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技术文档
型号
BSM15GD120DN1
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-BSM15GD120DN1
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
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BSM15GD120DN1详情
技术参数
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Infineon BSM15GD120DN1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
17
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PUFM-P17
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Siemens
Number of Elements
6
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
西门子 A G
Risk Rank
5.15
端子位置
UPPER
终端形式
PIN/PEG
JESD-30代码
R-PUFM-P17
资历状况
不合格
配置
BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极电流-最大值(IC)
15 A
集电极-发射器电压-最大值
1200 V
环境耗散-最大值
150 W
达到SVHC
unknown
技术文档: Infineon BSM15GD120DN1.
BSM15GD120DN1拓展信息
公司资质
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