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技术文档
型号
BSM200GA120DN2S
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-BSM200GA120DN2S
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Infineon Transistors
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BSM200GA120DN2S详情
技术参数
PDF文档
Infineon BSM200GA120DN2S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
Manufacturer
Package Description
MODULE-5
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
UNSPECIFIED
Turn-on Time-Nom (ton)
190 ns
Turn-off Time-Nom (toff)
630 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.59
Part Package Code
MODULE
类型
Single
子类别
绝缘栅BIP晶体管
端子位置
UPPER
终端形式
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-XUFM-X5
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
电源控制
电路型态
Single IGBT
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大耗散功率(Abs)
1550 W
集电极电流-最大值(IC)
300 A
集电极-发射器电压-最大值
1200 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
VCEsat-最大值
3.2 V
高度(毫米)
36.5 mm
技术文档: Infineon BSM200GA120DN2S.
BSM200GA120DN2S拓展信息
公司资质
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