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技术文档
型号
BSM200GAL120DN2
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-BSM200GAL120DN2
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
IGBT Modules 1200V 200A GAL CH
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BSM200GAL120DN2详情
技术参数
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Infineon BSM200GAL120DN2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
材料
Aluminum
形状
Rectangular, Fins
包装冷却
Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)
材料处理
蓝色阳极氧化
终端数量
7
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
UNSPECIFIED
Turn-on Time-Nom (ton)
110 ns
Turn-off Time-Nom (toff)
550 ns
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
Turn-on Time-Max (ton)
220 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Siemens
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
西门子 A G
Turn-off Time-Max (toff)
800 ns
Rise Time-Max (tr)
160 ns
Risk Rank
5.65
系列
pushPIN™
零件状态
活跃
类型
顶部安装
端子位置
UPPER
终端形式
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-XUFM-X7
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
附着方法
推销
离底高度(鳍的高度)
0.500 (12.70mm)
强制空气流动时的热阻
26.38°C/W @ 100 LFM
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
GENERAL PURPOSE
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极电流-最大值(IC)
290 A
集电极-发射器电压-最大值
1200 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
VCEsat-最大值
3 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.5 V
自然环境下的热阻
温度上升时的耗散功率
环境耗散-最大值
1400 W
最大下降时间 (tf)
120 ns
宽度
1.575 (40.00mm)
长度
2.362 (60.00mm)
直径
技术文档: Infineon BSM200GAL120DN2.
BSM200GAL120DN2拓展信息
公司资质
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