Infineon BSM25GD100D

表面安装

NO

终端数量

17

晶体管元件材料

SILICON

Voltage, Rating

50 V

Manufacturer Part Number

BSM25GD100D

Manufacturer

Infineon

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PUFM-D17

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Turn-on Time-Nom (ton)

30 ns

Operating Temperature-Max

150 °C

Turn-on Time-Max (ton)

40 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

6

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

西门子 A G

Risk Rank

5.27

容差

0.25 %

温度系数

25 ppm/°C

电阻

49.3 Ω

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Thin Film

子类别

绝缘栅BIP晶体管

额定功率

100 mW

端子位置

UPPER

终端形式

SOLDER LUG

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PUFM-D17

资历状况

不合格

配置

BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大耗散功率(Abs)

300 W

集电极电流-最大值(IC)

25 A

集电极-发射器电压-最大值

1000 V

栅极-发射极电压-最大值

20 V

VCEsat-最大值

3.3 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.2 V

环境耗散-最大值

300 W

高度

550 µm