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技术文档
型号
BSM25GD120D2
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-BSM25GD120D2
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
BSM25GD120D2 datasheet pdf and Unclassified product details from Infineon stock available at utmel
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BSM25GD120D2详情
技术参数
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Infineon BSM25GD120D2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
17
晶体管元件材料
SILICON
Ihs Manufacturer
EUPEC GMBH & CO KG
Manufacturer
Eupec Gmbh & Co Kg
Manufacturer Part Number
Number of Elements
6
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Part Life Cycle Code
Obsolete
Risk Rank
5.61
子类别
绝缘栅BIP晶体管
端子位置
UPPER
终端形式
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-XUFM-X17
资历状况
不合格
配置
BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大耗散功率(Abs)
200 W
集电极电流-最大值(IC)
25 A
集电极-发射器电压-最大值
1200 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
VCEsat-最大值
3.2 V
技术文档: Infineon BSM25GD120D2.
BSM25GD120D2拓展信息
公司资质
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