Infineon BSO080P03S

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

8

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Voltage Rating (DC)

-30 V

RoHS

Non-Compliant

Turn Off Delay Time

130 ns

Package Description

PLASTIC PACKAGE-8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

BSO080P03S

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.65

Drain Current-Max (ID)

12.6 A

包装

Tape & Reel

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

1.79 W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

-12.6 A

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.79 W

接通延迟时间

15 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

22 ns

漏源电压 (Vdss)

30 V

极性/通道类型

P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

12.6 A

栅极至源极电压(Vgs)

25 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

12.6 A

漏极-源极导通最大电阻

0.008 Ω

漏源击穿电压

30 V

输入电容

5.89 nF

DS 击穿电压-最小值

30 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2.5 W

最大rds

8 mΩ

反馈上限-最大值 (Crss)

1500 pF

辐射硬化

无

无铅

含铅