Infineon BSO201SP

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

8

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

-20 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

108.5 ns

Package Description

SO-8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

BSO201SP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.72

Part Package Code

SOT

Drain Current-Max (ID)

14.9 A

包装

Tape & Reel (TR)

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

2.5 W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

-14.9 A

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5 W

接通延迟时间

21.3 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

39.7 ns

漏源电压 (Vdss)

20 V

极性/通道类型

P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

14.9 A

栅极至源极电压(Vgs)

12 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

14.7 A

漏极-源极导通最大电阻

0.008 Ω

漏源击穿电压

-20 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

59.6 A

输入电容

5.962 nF

DS 击穿电压-最小值

20 V

雪崩能量等级（Eas）

248 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2.5 W

最大rds

8 mΩ

辐射硬化

无