BSO203P
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Infineon BSO203P

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型号

BSO203P

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-BSO203P

商品类别

无类别的

封装

6-SMD, No Lead

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

P-channel Power Mosfet

起订量

1最小包装量--

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BSO203P
BSO203P Infineon P-channel Power Mosfet

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BSO203P详情

Infineon BSO203P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-SMD, No Lead

  • 底架

    表面贴装

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    8

  • 供应商器件包装

    PG-DSO-8

  • 终端数量

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Base Product Number

    SIT9501

  • 厂商

    SiTime

  • Product Status

    活跃

  • Voltage Rating (DC)

    -20 V

  • RoHS

    Compliant

  • Turn Off Delay Time

    59 ns

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    8.2A

  • Package Description

    PLASTIC, SOP-8

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Manufacturer Part Number

    BSO203P

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Rochester Electronics LLC

  • Number of Elements

    2

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS LLC

  • Risk Rank

    5.3

  • Part Package Code

    SOT

  • Drain Current-Max (ID)

    8.2 A

  • 操作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 系列

    SiT9501

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 尺寸/尺寸

    0.079 L x 0.063 W (2.00mm x 1.60mm)

  • 类型

    XO (Standard)

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 附加功能

    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED

  • 最大功率耗散

    2 W

  • 电压 - 供电

    3.3V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    unknown

  • 额定电流

    -8.2 A

  • 频率

    156.25 MHz

  • 频率稳定性

    ±50ppm

  • 输出量

    LVDS

  • 引脚数量

    8

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G8

  • 功能

    Enable/Disable

  • 基本谐振器

    MEMS

  • 最大电流源

    32mA

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 电流 - 电源(禁用)(最大值)

    -

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    2 W

  • 扩频带宽

    -

  • 功率 - 最大

    2W

  • 场效应管类型

    2 P-Channel (Dual)

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    21mOhm @ 8.2A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.2V @ 100µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    2242pF @ 15V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    48.6nC @ 4.5V

  • 上升时间

    25.9 ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    20 V

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • 连续放电电流(ID)

    8.2 A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    12 V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.021 Ω

  • 漏源击穿电压

    -20 V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    32.8 A

  • 输入电容

    2.242 nF

  • DS 击穿电压-最小值

    20 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    97 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 绝对牵引范围 (APR)

    -

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • 漏源电阻

    21 mΩ

  • 最大rds

    21 mΩ

  • 座位高度(最大)

    0.031 (0.80mm)

  • 评级结果

    -

0个相似型号

技术文档: Infineon BSO203P.

BSO203P拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS