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技术文档
型号
BSO203P
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-BSO203P
商品类别
无类别的
封装
6-SMD, No Lead
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
P-channel Power Mosfet
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BSO203P详情
技术参数
PDF文档
Infineon BSO203P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
表面贴装
包装/外壳
底架
表面安装
YES
引脚数
8
供应商器件包装
PG-DSO-8
终端数量
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
SIT9501
厂商
SiTime
Product Status
活跃
Voltage Rating (DC)
-20 V
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
59 ns
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
8.2A
Package Description
PLASTIC, SOP-8
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.3
Part Package Code
SOT
Drain Current-Max (ID)
8.2 A
操作温度
-40°C ~ 85°C
系列
SiT9501
包装
尺寸/尺寸
0.079 L x 0.063 W (2.00mm x 1.60mm)
类型
XO (Standard)
端子表面处理
哑光锡
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
最大功率耗散
2 W
电压 - 供电
3.3V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
额定电流
-8.2 A
频率
156.25 MHz
频率稳定性
±50ppm
输出量
LVDS
引脚数量
JESD-30代码
R-PDSO-G8
功能
Enable/Disable
基本谐振器
MEMS
最大电流源
32mA
资历状况
COMMERCIAL
电流 - 电源(禁用)(最大值)
-
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
扩频带宽
功率 - 最大
2W
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
21mOhm @ 8.2A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 100µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2242pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
48.6nC @ 4.5V
上升时间
25.9 ns
漏源电压 (Vdss)
20 V
极性/通道类型
P-CHANNEL
连续放电电流(ID)
栅极至源极电压(Vgs)
12 V
漏极-源极导通最大电阻
0.021 Ω
漏源击穿电压
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
32.8 A
输入电容
2.242 nF
DS 击穿电压-最小值
雪崩能量等级(Eas)
97 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
绝对牵引范围 (APR)
场效应管特性
逻辑电平门
漏源电阻
21 mΩ
最大rds
座位高度(最大)
0.031 (0.80mm)
评级结果
技术文档: Infineon BSO203P.
BSO203P拓展信息
公司资质
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