Infineon BSO203SP

工厂交货时间

1 Week

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

引脚数

8

供应商器件包装

PG-DSO-8

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Continuous Drain Current Id

9

Voltage Rating (DC)

-20 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

58 ns

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

1.6W (Ta)

Product Status

活跃

Package Description

SO-8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

BSO203SP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.24

Part Package Code

SOT

Drain Current-Max (ID)

9 A

包装

Digi-Reel®

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

OptiMOS®

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

6.2 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

额定电流

-9 A

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.35 W

接通延迟时间

15.6 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

21mOhm @ 8.9A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 50µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3750 pF @ 15 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

39 nC @ 4.5 V

上升时间

27 ns

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±12V

极性/通道类型

P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

9 A

栅极至源极电压(Vgs)

12 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9 A

漏极-源极导通最大电阻

0.021 Ω

漏源击穿电压

-20 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

36 A

输入电容

2.38 nF

DS 击穿电压-最小值

20 V

信道型

P

雪崩能量等级（Eas）

97 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2.35 W

场效应管特性

-

漏源电阻

21 mΩ

最大rds

4 mΩ