Infineon BSO207P H

包装/外壳

SOIC-8

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Package

零售包装

厂商

Glenair

Product Status

活跃

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

20 V

Moisture Sensitive

有

Typical Turn-On Delay Time

9 ns, 9 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

1.2 V

Pd - Power Dissipation

2 W

Transistor Polarity

P-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 12 V, + 12 V

Unit Weight

0.019048 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

2500

Mounting Styles

SMD/SMT

Forward Transconductance - Min

10 S, 10 S

Channel Mode

Enhancement

Part # Aliases

BSO27PHXT SP000613832 BSO207PHXUMA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Qg - Gate Charge

16 nC

Tradename

OptiMOS

Rds On - Drain-Source Resistance

32 mOhms, 32 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

33 ns, 33 ns

Id - Continuous Drain Current

5.7 A

Package Description

GREEN, PLASTIC, SOP-8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

3

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSO207PH

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.83

Part Package Code

SOT

Drain Current-Max (ID)

5 A

系列

*

包装

MouseReel

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

Dual

通道数量

2 Channel

操作模式

增强型MOSFET

上升时间

22 ns, 22 ns

极性/通道类型

P-CHANNEL

产品类别

MOSFET

晶体管类型

2 P-Channel

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5 A

漏极-源极导通最大电阻

0.045 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

22.8 A

DS 击穿电压-最小值

20 V

雪崩能量等级（Eas）

44 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2 W

产品类别

MOSFET

宽度

3.9 mm

高度

1.75 mm

长度

4.9 mm