Infineon BSO211P

底架

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

8

供应商器件包装

PG-DSO-8

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Voltage Rating (DC)

-20 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

26.3 ns

Product Status

活跃

厂商

Infineon Technologies

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.7A

Package

Bulk

Package Description

SO-8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

BSO211P

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.38

Part Package Code

SOT

Drain Current-Max (ID)

4.7 A

包装

Tape & Reel

系列

OptiMOS™

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

无铅代码

无

端子表面处理

未说明

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

最大功率耗散

2 W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

-4.7 A

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

COMMERCIAL

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2 W

接通延迟时间

7.8 ns

功率 - 最大

2W

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

67mOhm @ 4.7A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 25µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

920pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

23.9nC @ 4.5V

上升时间

10.6 ns

漏源电压 (Vdss)

20 V

极性/通道类型

P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

4.7 A

栅极至源极电压(Vgs)

12 V

漏极-源极导通最大电阻

0.067 Ω

漏源击穿电压

-20 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

18.8 A

输入电容

920 pF

DS 击穿电压-最小值

20 V

信道型

Dual P

雪崩能量等级（Eas）

28 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

漏源电阻

67 mΩ

最大rds

67 mΩ