Infineon BSO303P

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

供应商器件包装

PG-DSO-8

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8.2A

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Package Description

SO-8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

BSO303P

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

2

Drain Current-Max (ID)

8.2 A

Part Package Code

SOT

Risk Rank

5.33

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Part Life Cycle Code

活跃

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

OptiMOS™

无铅代码

无

端子表面处理

未说明

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

COMMERCIAL

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

2W

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

21mOhm @ 8.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 100µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1761pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

72.5nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

极性/通道类型

P-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.021 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

32.4 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

97 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门