Infineon BSO303SPH

工厂交货时间

1 Week

安装类型

表面贴装

包装/外壳

100-BQFP

表面安装

YES

供应商器件包装

100-QFP (14x20)

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of I/Os

82

Package

Tray

Base Product Number

CY90F347

厂商

Infineon Technologies

Data Converters

A/D 24x8/10b

Product Status

Obsolete

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7.2A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Power Dissipation (Max)

1.56W (Ta)

Package Description

GREEN, PLASTIC, SOP-8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

3

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSO303SPH

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.66

Part Package Code

SOT

Drain Current-Max (ID)

7.2 A

操作温度

-40°C ~ 105°C (TA)

系列

F²MC-16LX MB90340

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

子类别

其他晶体管

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

振荡器类型

External

速度

24MHz

内存大小

6K x 8

操作模式

增强型MOSFET

电压 - 供电 (Vcc/Vdd)

3.5V ~ 5.5V

核心处理器

F²MC-16LX

周边设备

DMA, POR, WDT

程序存储器类型

FLASH

芯尺寸

16-Bit

程序内存大小

128KB (128K x 8)

连接方式

CANbus, EBI/EMI, I²C, LINbus, SCI, UART/USART

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

21mOhm @ 9.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 100µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2330 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

54 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

P-CHANNEL

EEPROM 大小

-

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7.2 A

漏极-源极导通最大电阻

0.021 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

36 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

97 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2.5 W

场效应管特性

-