Infineon BSO330N02KG

包装/外壳

SOIC-8

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

8

供应商器件包装

PG-DSO-8

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

20 V

Moisture Sensitive

有

Typical Turn-On Delay Time

7.4 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

1.2 V

Pd - Power Dissipation

2.5 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 12 V, + 12 V

Unit Weight

0.019048 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

2500

Mounting Styles

SMD/SMT

Channel Mode

Enhancement

Part # Aliases

SP000380284 BSO330N02KGFUMA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Qg - Gate Charge

3.7 nC

Tradename

OptiMOS

Rds On - Drain-Source Resistance

30 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

13.4 ns

Id - Continuous Drain Current

5.4 A

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1.2V @ 20µA

Product Status

活跃

厂商

Infineon Technologies

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.4A

Package

Bulk

Package Description

GREEN, PLASTIC, TDSON-8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

3

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSO330N02KG

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.82

Drain Current-Max (ID)

4.2 A

系列

OptiMOS 2

包装

切割胶带

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

ECCN 代码

EAR99

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

Dual

通道数量

2 Channel

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

1.4W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

30mOhm @ 6.5A, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

730pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.9nC @ 4.5V

上升时间

16.8 ns

漏源电压 (Vdss)

20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

晶体管类型

2 N-Channel

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5.4 A

漏极-源极导通最大电阻

0.03 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

26 A

DS 击穿电压-最小值

20 V

信道型

Dual N

雪崩能量等级（Eas）

19 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2.5 W

场效应管特性

逻辑电平门

产品类别

MOSFET

宽度

3.9 mm

高度

1.75 mm

长度

4.9 mm

达到SVHC

compliant