Infineon BSO615C

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

8

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

RoHS

Non-Compliant

Package Description

SO-8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

BSO615C

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.65

Part Package Code

SOT

Drain Current-Max (ID)

3.4 A

包装

切割胶带

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

其他晶体管

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

235

Reach合规守则

compliant

额定电流

3.1 A

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

105 ns

漏源电压 (Vdss)

60 V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

3.1 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.1 A

漏极-源极导通最大电阻

0.15 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

12.4 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

47 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2 W

无铅

含铅