Infineon BSO615NV

底架

表面贴装

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Voltage Rating (DC)

60 V

RoHS

Compliant

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

BSO615NV

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.66

Drain Current-Max (ID)

3.1 A

包装

Digi-Reel®

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

1.4 W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

3.1 A

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

漏源电压 (Vdss)

30 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

6.6 A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.1 A

漏极-源极导通最大电阻

0.12 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

12.4 A

输入电容

1.01 nF

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

60 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2 W

最大rds

20 mΩ