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技术文档
型号
BSP123
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-BSP123
商品类别
无类别的
封装
4-SIP, JA
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
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BSP123详情
技术参数
PDF文档
Infineon BSP123重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
通孔
包装/外壳
表面安装
YES
供应商器件包装
JA
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
Base Product Number
GBJA806
厂商
Micro Commercial Co
Product Status
活跃
Package Description
ROHS COMPLIANT, SOT-223, 4 PIN
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
40
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.14
Part Package Code
SOT-223
Drain Current-Max (ID)
0.37 A
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
JESD-609代码
e3
无铅代码
端子表面处理
哑光锡
附加功能
逻辑电平兼容
技术
Standard
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
引脚数量
参考标准
CECC
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
二极管类型
单相
反向泄漏电流@ Vr
10 µA @ 600 V
操作模式
增强型MOSFET
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.1 V @ 4 A
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
平均整流电流(Io)
8 A
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
6 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
1.48 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压 - 峰值反向(最大值)
600 V
技术文档: Infineon BSP123.
BSP123拓展信息
公司资质
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