Infineon BSP123L6327

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

4

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

100 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

8.7 ns

Package Description

GREEN, PLASTIC PACKAGE-4

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSP123L6327

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.13

Drain Current-Max (ID)

0.37 A

包装

切割胶带

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.29.00.75

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

1.79 W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

370 mA

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.79 W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

3.3 ns

上升时间

3.2 ns

漏源电压 (Vdss)

100 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

370 mA

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.37 A

漏极-源极导通最大电阻

6 Ω

漏源击穿电压

100 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

1.48 A

输入电容

70 pF

DS 击穿电压-最小值

100 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.79 W

漏源电阻

6 Ω

最大rds

6 Ω

栅源电压

1.4 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

无铅

无铅