Infineon BSP125 H6433

包装/外壳

SOT-223-4

表面安装

YES

质量

--

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

For Use With/Related Products

音调发生器

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

600 V

Typical Turn-On Delay Time

7.7 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

1.9 V

Development Kit

-

Pd - Power Dissipation

1.8 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Unit Weight

0.004004 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

4000

Mounting Styles

SMD/SMT

Forward Transconductance - Min

60 mS

Channel Mode

Enhancement

Part # Aliases

SP001058578 BSP125H6433XTMA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Qg - Gate Charge

4.4 nC

Rds On - Drain-Source Resistance

25 Ohms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

20 ns

Id - Continuous Drain Current

120 mA

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Drain Current-Max (ID)

0.12 A

Risk Rank

5.65

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

BSP125H6433

Rohs Code

有

系列

--

包装

MouseReel

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

引脚数量

4

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G4

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

上升时间

14.4 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

工具类型

滤波器放大器探头

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

漏极-源极导通最大电阻

45 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

0.48 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

产品类别

MOSFET

宽度

3.5 mm

高度

1.6 mm

长度

6.5 mm

达到SVHC

compliant