Infineon BSP129L6327

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

引脚数

4

供应商器件包装

PG-SOT223-4-21

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Continuous Drain Current Id

0.35

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

240 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

22 ns

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

350mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

0V, 10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

1.8W (Ta)

Product Status

活跃

Package Description

GREEN, PLASTIC PACKAGE-4

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSP129L6327

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.09

Drain Current-Max (ID)

0.35 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

SIPMOS®

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.29.00.75

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

1.8 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

额定电流

50 mA

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

DEPLETION MODE

功率耗散

1.8 W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

4.4 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

6Ohm @ 350mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 108µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

108 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.7 nC @ 5 V

上升时间

4.1 ns

漏源电压 (Vdss)

240 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

350 mA

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.35 A

漏极-源极导通最大电阻

6 Ω

漏源击穿电压

240 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

1.4 A

输入电容

108 pF

DS 击穿电压-最小值

240 V

信道型

N

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.8 W

场效应管特性

耗尽模式

漏源电阻

6 Ω

最大rds

6 Ω

栅源电压

-1.4 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

无铅

无铅