Infineon BSP135L6433

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

供应商器件包装

PG-SOT223-4-21

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

120mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

0V, 10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

1.8W (Ta)

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

SIPMOS®

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

45Ohm @ 120mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 94µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

146 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.9 nC @ 5 V

漏源电压 (Vdss)

600 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

耗尽模式