BSP149L6906详情
Infineon BSP149L6906重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
1 Week
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
4
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Voltage Rating (DC)
200 V
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
45 ns
Package Description
GREEN, PLASTIC PACKAGE-4
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BSP149L6906
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.12
Drain Current-Max (ID)
0.66 A
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
HTS代码
8541.29.00.75
子类别
FET 通用电源
最大功率耗散
1.8 W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
compliant
额定电流
140 mA
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
DEPLETION MODE
功率耗散
1.8 W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
5.1 ns
上升时间
3.4 ns
漏源电压 (Vdss)
200 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
660 mA
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.66 A
漏极-源极导通最大电阻
1.8 Ω
漏源击穿电压
200 V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
2.6 A
输入电容
430 pF
DS 击穿电压-最小值
200 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1.8 W
漏源电阻
1.8 Ω
最大rds
1.8 Ω
栅源电压
-1.4 V
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
无铅
无铅
BSP149L6906拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








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