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技术文档
型号
BSP171 E6327
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-BSP171 E6327
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 60V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
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BSP171 E6327详情
技术参数
Infineon BSP171 E6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
BSP171E6327
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.3
Part Package Code
SOT-223
Drain Current-Max (ID)
1.7 A
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.35 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
6.8 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级(Eas)
8 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
BSP171 E6327拓展信息
公司资质
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