Infineon BSP171 P

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

厂商

Suntsu Electronics, Inc.

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSP171P

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

Infineon BSP171P P-channel MOSFET Transistor, 1.9 A, 60 V, 4-Pin SOT-223

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

1.67

Part Package Code

SOT-223

Drain Current-Max (ID)

1.9 A

操作温度

-40°C ~ 85°C

系列

SXT224

尺寸/尺寸

0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

兆赫晶体

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

其他晶体管

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

频率

14.7456 MHz

频率稳定性

±50ppm

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

ESR（等效串联电阻）

120 Ohms

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

负载电容

19pF

操作模式

Fundamental

箱体转运

DRAIN

频率容差

±30ppm

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1.8 A

漏极-源极导通最大电阻

0.3 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

7.6 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

70 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.8 W

座位高度(最大)

0.026 (0.65mm)

评级结果

-