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Infineon BSP171 P

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型号

BSP171 P

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-BSP171 P

商品类别

无类别的

封装

4-SMD, No Lead

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

P Ch Mosfet, -60V, 1.45A, Sot-223; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:1.45A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:1.5V Rohs Compliant: Yes /Infineon BSP171P

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BSP171 P
BSP171 P Infineon P Ch Mosfet, -60V, 1.45A, Sot-223; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:1.45A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:1.5V Rohs Compliant: Yes /Infineon BSP171P

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BSP171 P详情

技术参数

Infineon BSP171 P重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    4-SMD, No Lead

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package

    Bulk

  • 厂商

    Suntsu Electronics, Inc.

  • Product Status

    活跃

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

    有

  • Manufacturer Part Number

    BSP171P

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Infineon Technologies AG

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Samacsys Description

    Infineon BSP171P P-channel MOSFET Transistor, 1.9 A, 60 V, 4-Pin SOT-223

  • Ihs Manufacturer

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Risk Rank

    1.67

  • Part Package Code

    SOT-223

  • Drain Current-Max (ID)

    1.9 A

  • 操作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 系列

    SXT224

  • 尺寸/尺寸

    0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    有

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    兆赫晶体

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 附加功能

    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED

  • HTS代码

    8541.29.00.95

  • 子类别

    其他晶体管

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • 频率

    14.7456 MHz

  • 频率稳定性

    ±50ppm

  • 引脚数量

    4

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G4

  • 资历状况

    不合格

  • ESR（等效串联电阻）

    120 Ohms

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 负载电容

    19pF

  • 操作模式

    Fundamental

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 频率容差

    ±30ppm

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    1.8 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.3 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    7.6 A

  • DS 击穿电压-最小值

    60 V

  • 雪崩能量等级（Eas）

    70 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    1.8 W

  • 座位高度(最大)

    0.026 (0.65mm)

  • 评级结果

    -

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BSP171 P拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS