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Infineon BSP295

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  • 对比

型号

BSP295

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-BSP295

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Mosfet, N Channel, 60V, 1.8A, Sot-223; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:1.8A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:1.1V Rohs Compliant: Yes /Infineon BSP295

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BSP295 Infineon Mosfet, N Channel, 60V, 1.8A, Sot-223; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:1.8A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:1.1V Rohs Compliant: Yes /Infineon BSP295

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BSP295详情

技术参数

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Infineon BSP295重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package

    Bulk

  • 厂商

    PEI-Genesis

  • Product Status

    活跃

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    40

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

    有

  • Manufacturer Part Number

    BSP295

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Infineon Technologies AG

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Samacsys Description

    MOSFET N-Channel 60V 1.8A SOT223 Infineon BSP295 N-channel MOSFET Transistor, 1.8 A, 60 V, 4-Pin SOT-223

  • Ihs Manufacturer

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Risk Rank

    1.35

  • Part Package Code

    SOT-223

  • Drain Current-Max (ID)

    1.8 A

  • 系列

    *

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    有

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • HTS代码

    8541.29.00.95

  • 子类别

    FET 通用电源

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    4

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G4

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    1.7 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.5 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    7.2 A

  • DS 击穿电压-最小值

    60 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    1.5 W

0个相似型号

技术文档: Infineon BSP295.

BSP295拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS