Infineon BSP296L6433

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

供应商器件包装

PG-SOT223

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Continuous Drain Current Id

1.1

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.1A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

1.79W (Ta)

Product Status

活跃

Package Description

GREEN, PLASTIC PACKAGE-4

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSP296L6433

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.14

Drain Current-Max (ID)

1.1 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

SIPMOS®

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

700mOhm @ 1.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.8V @ 400µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

364 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17.2 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

100 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1.1 A

漏极-源极导通最大电阻

0.7 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

4.4 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

信道型

N

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.79 W

场效应管特性

-