Infineon BSP308

安装类型

-

包装/外壳

-

表面安装

YES

供应商器件包装

-

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Number of I/Os

83

Package

Tray

Base Product Number

CY9AF112

厂商

Infineon Technologies

Data Converters

A/D 16x12b

Product Status

Obsolete

Package Description

SOT-223, 4 PIN

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

BSP308

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.87

Part Package Code

SOT-223

Drain Current-Max (ID)

4.7 A

操作温度

-40°C ~ 105°C (TA)

系列

FM3 MB9A110

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

FET 通用电源

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

振荡器类型

Internal

速度

40MHz

内存大小

16K x 8

操作模式

增强型MOSFET

电压 - 供电 (Vcc/Vdd)

2.7V ~ 5.5V

核心处理器

ARM® Cortex®-M3

箱体转运

DRAIN

周边设备

DMA, LVD, POR, PWM, WDT

程序存储器类型

FLASH

芯尺寸

32-Bit Single-Core

程序内存大小

128KB (128K x 8)

连接方式

CSIO, EBI/EMI, I²C, LINbus, SPI, UART/USART

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

EEPROM 大小

-

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.7 A

漏极-源极导通最大电阻

0.05 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

18.8 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

55 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.8 W