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技术文档
型号
BSP315E-6327
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-BSP315E-6327
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
1.1 A, 50 V, 0.8 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
起订量
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BSP315E-6327详情
技术参数
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Infineon BSP315E-6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
材料
Aluminum
形状
Square, Fins
包装冷却
Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)
材料处理
蓝色阳极氧化
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
BSP315E6327
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.12
Part Package Code
SOT-223
Drain Current-Max (ID)
1.1 A
系列
pushPIN™
零件状态
活跃
ECCN 代码
EAR99
类型
顶部安装
附加功能
逻辑电平兼容
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
附着方法
推销
离底高度(鳍的高度)
0.590 (15.00mm)
强制空气流动时的热阻
13.68°C/W @ 100 LFM
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
极性/通道类型
P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.8 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
4.4 A
DS 击穿电压-最小值
50 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
自然环境下的热阻
温度上升时的耗散功率
宽度
1.969 (50.00mm)
长度
直径
技术文档: Infineon BSP315E-6327.
BSP315E-6327拓展信息
公司资质
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