Infineon BSP316PL6327

底架

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

4

供应商器件包装

PG-SOT223-4-21

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

制造商包装标识符

PG-SOT223-4

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

-100 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

67.4 ns

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

680mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

1.8W (Ta)

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 170µA

Product Status

活跃

Drain Current-Max (ID)

0.68 A

Risk Rank

5.62

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Part Life Cycle Code

Obsolete

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

BSP316PL6327

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

150 °C

Reflow Temperature-Max (s)

40

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Style

小概要

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

SIPMOS®

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

1.8 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-680 mA

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

电压

100 V

电流

68 A

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.8 W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

4.7 ns

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.8Ohm @ 680mA, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

146 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.4 nC @ 10 V

上升时间

7.5 ns

漏源电压 (Vdss)

-100 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

-680 mA

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.68 A

漏极-源极导通最大电阻

1.8 Ω

漏源击穿电压

-100 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

2.72 A

输入电容

146 pF

DS 击穿电压-最小值

100 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.8 W

最大结点温度（Tj）

150 °C

场效应管特性

-

漏源电阻

1.4 Ω

最大rds

1.8 Ω

栅源电压

-1.5 V

高度

1.8 mm

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅