Infineon BSP317PH6327

包装/外壳

SOT-223-4

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

1st Contact Gender

Male

Package

Bag

Overall Impedance

50 Ohms

Base Product Number

Q-2B0730

厂商

Amphenol Custom Cable

Product Status

活跃

2nd Contact Gender

Female

Frequency-Max

6 GHz

Cable Types

LMR 400

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

250 V

Typical Turn-On Delay Time

5.7 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

1.5 V

Pd - Power Dissipation

1.8 W

Transistor Polarity

P-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Unit Weight

0.003951 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1000

Mounting Styles

SMD/SMT

Forward Transconductance - Min

380 mS

Channel Mode

Enhancement

Part # Aliases

SP001058758 BSP317PH6327XTSA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Qg - Gate Charge

11.6 nC

Rds On - Drain-Source Resistance

3 Ohms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

254 ns

Id - Continuous Drain Current

430 mA

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSP317PH6327

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.67

Drain Current-Max (ID)

0.43 A

操作温度

-

系列

-

包装

MouseReel

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

颜色

Black

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

入口保护

-

样式

N-Type to TNC

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G4

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

上升时间

11.1 ns

极性/通道类型

P-CHANNEL

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 P-Channel

第一个连接器

N-Type Plug, Right Angle

第二个连接器

TNC 插孔

漏极-源极导通最大电阻

4 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

1.72 A

DS 击穿电压-最小值

250 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

特征

Shielded

产品类别

MOSFET

长度

60.0 (1.5m) 5.0

宽度

3.5 mm

高度

1.6 mm