Infineon BSP317PL6327

工厂交货时间

1 Week

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

引脚数

4

供应商器件包装

PG-SOT223-4-21

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

-250 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

254 ns

Package

Bulk

Base Product Number

BSP317

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

430mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

1.8W (Ta)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 370µA

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSP317PL6327

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

8.47

Drain Current-Max (ID)

0.43 A

包装

切割胶带

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

SIPMOS®

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.29.00.75

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

1.8 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-430 mA

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.8 W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

5.7 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4Ohm @ 430mA, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

262 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15.1 nC @ 10 V

上升时间

11.1 ns

漏源电压 (Vdss)

250 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

430 mA

阈值电压

-1.5 V

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.43 A

漏极-源极导通最大电阻

4 Ω

漏源击穿电压

250 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

1.72 A

双电源电压

-60 V

输入电容

262 pF

DS 击穿电压-最小值

250 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.8 W

场效应管特性

-

漏源电阻

4 Ω

最大rds

4 Ω

栅源电压

-1.5 V

宽度

6.7 mm

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅