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技术文档
型号
BSP319
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-BSP319
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
3.8 A 50 V 0.07 Ohm N-channel Si Power Mosfet
起订量
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BSP319详情
技术参数
PDF文档
Infineon BSP319重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
厂商
GlobTek, Inc.
Product Status
活跃
RoHS
Non-Compliant
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Siemens
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
西门子 A G
Risk Rank
5.32
Part Package Code
SOT-223
Drain Current-Max (ID)
3.8 A
系列
-
ECCN 代码
EAR99
颜色
White
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
屏蔽/屏蔽
Shielded
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
线规
20 AWG, 28 AWG
配置
微型 B 公形转 C 公形
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
极性/通道类型
N-CHANNEL
规格说明
漏极-源极导通最大电阻
0.07 Ω
DS 击穿电压-最小值
50 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
特征
长度
9.84 (3.00m)
技术文档: Infineon BSP319.
BSP319拓展信息
公司资质
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