Infineon BSP320S L6433

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

引脚数

4

供应商器件包装

PG-SOT223-4-21

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Package

零售包装

厂商

Glenair

Product Status

活跃

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

25 ns

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.9A (Tj)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

1.8W (Ta)

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 20µA

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSP320SL6433

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Drain Current-Max (ID)

2.9 A

Risk Rank

5.64

系列

*

包装

卷带

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

雪崩 额定

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

41 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.8 W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

120mOhm @ 2.9A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

340 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12 nC @ 10 V

上升时间

25 ns

漏源电压 (Vdss)

40 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

2.9 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.9 A

漏极-源极导通最大电阻

0.12 Ω

漏源击穿电压

60 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

11.6 A

输入电容

1.43 nF

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

60 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.8 W

场效应管特性

-

漏源电阻

120 mΩ

最大rds

9.3 mΩ

达到SVHC

compliant