Infineon BSP322PL6327

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

引脚数

4

供应商器件包装

PG-SOT223-4-21

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

1.8W (Ta)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1V @ 380µA

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSP322PL6327

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.7

Drain Current-Max (ID)

1 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

SIPMOS®

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED

子类别

其他晶体管

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

800mOhm @ 1A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

372 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

16.5 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

100 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1 A

漏极-源极导通最大电阻

0.8 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

4 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

57 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.8 W

场效应管特性

-

达到SVHC

compliant